Описание
Купить IGBT SEMiX205GD12M7HD в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX205GD12M7HD широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX205GD12M7HD:
- IGBT M7
- 200 A
- 130x70x17
- Solderless assembly solution with pressFit signal pins and screw power terminals
- Trench = Trenchgate technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High overload capability
- High short circuit capability
- Low loss high density IGBTs
- UL recognized, file no. E63532
- NTC temperature sensor inside
- Voltage (V) – 1200 V
- SEMiX 5p
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
