SEMiX205BT07F3SC4

Описание

Купить IGBT SEMiX205BT07F3SC4 в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX205BT07F3SC4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX205BT07F3SC4:

• Chip Technology SiC Diode + IGBT 3 (Trench)
• Dimensions (LLxBBxHH) mm 130x70x17
• Solderless assembling solution with PressFIT signal pins and screw power terminals
• IGBT 3 High Speed Trench Technology
• Silicon Carbide (SiC) Free-wheeling Schottky diodes : Diode 1 (D1…D4)
• Silicon anti-parallel diodes , Diode 2 (D5…D8)
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• Low inductance case
• Reliable mechanical design with injection moulded terminals and reliable internal connections
• UL recognized file no. E63532
• NTC temperature sensor inside
• Housing SEMiX 5p
• Voltage (V) – 650 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.