Описание
Купить IGBT QM30TB1-H в Харькове
Транзистор IGBT Mitsubishi Electric QM30TB1-H широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности QM30TB1-H:
- CAL=Controlled Axial Lifetime Technology(soft and fast recovery)
- Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)
- For diagrams of the Chopper IGBT please fefer to QM30TB1-H
- Theatsink=25°C, unless otherwise specified
- Operating junction temperature Tj:+150°C
- Storage temperature Tstg :-40 to +125°
- Collector-Emitter voltage VCES:2500V
- Collector-Emitter voltage Vces:1000V
- Collector power dissipation Pc:400W
- Gate-Emitter voltage VGES:±20V
- Collector current Ic:50A
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
