Описание
Купить IGBT PM150CLA-120 в Харькове
Транзистор IGBT Mitsubishi Electric PM150CLA-120 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей. В работе используется новый чип IGBT 5-го поколения (CSTBT), характеристики которого улучшены благодаря технологическому процессу с высокой точностью 1 мкм.
Технические особенности PM150CLA-120:
- Collector-Emitter Voltage VCES — 1200 V
- Collector Current (Peak) ±ICP — 300 A
- Junction Temperature Tj –20 ~ +150 °C
- Collector Dissipation PC — 10041 W
- Collector Current ±IC — 150 A
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
