Описание
Купить IGBT MWI50-12E6K в Харькове
Транзистор IXYS MWI50-12E6K широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MWI 50-12E6K:
- IGBTs
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 51A
- IC80 — 36A
- Ptot — 210W
- Diodes
- VRRM — 1600V
- IF25 — 49A
- IF80 — 32A
- TVJ -40+125C
- TVJM +150C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 2500V
- Weight — 40g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
