Описание
Купить IGBT MIO1200-33E11 в Харькове
Транзистор IXYS MIO1200-33E11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MIO 1200-33 E11:
- IGBT
- VCES — 3300V
- VGES — 20V
- IC80 — 1200A
- ICM — 2400A
- Diode
- IF80 — 1200A
- IFSM — 12000A
- TJM +125C
- TVJ -40+125C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 10500V
- Weight — 1500g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
