Описание
Купить IGBT MIO1200-33E10 в Харькове
Транзистор IXYS MIO1200-33E10 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MIO1 200-33E10:
- IGBT
- VCES — 3300V
- VGES — 20V
- IC80 — 1200A
- ICM — 2400A
- tSC — 10µs
- Diode
- IF80 — 1200A
- IFSM — 11000A
- TJM +150C
- -40+125C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 6000V
- Weight — 1500g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
