Описание
Купить IGBT MIEB100W1200TEH в Харькове
Транзистор IXYS MIEB100W1200TEH широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MIEB 100W1200TEH:
- Ouput Inverter T1 — T6
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 183A
- IC80 — 128A
- Ptot — 630W
- Output Inverter D1 — D6
- VRRM — 1200V
- IF25 — 135A
- IF80 — 90A
- TVJ -40+125C
- TVJM +150C
- Tstg — 40+125C
- VISOL — 3000/3600V
- Weight — 300g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
