Описание
Купить IGBT MBM200HS6A в Харькове
Транзистор IGBT Hitachi MBM200HS6A, FS100R12KE3_B3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей. Низкое напряжение насыщения и высокая скорость.
Технические особенности MBM200HS6A, FS100R12KE3_B3:
- Collector-Emitter Voltage VCES — 600V
- Gate-Emitter Voltage VGES — 20V
- Collector Current DC IC — 200A
- Collector Current 1ms ICP — 400A
- Forward Current DC IF — 200A
- Forward Current 1ms IFM — 400A
- Collector Power Dissipation PC — 690W
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
