Описание
Купить IGBT IXSN35N100U1 в Харькове
Транзистор IXYS IXSN35N100U1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXSN 35N100U1:
- IGBT with Diode
- VCES — 1000V
- VCGR — 1000A
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 38A
- IC90 — 25A
- ICM — 50A
- PC — 205W
- VISOL — 2500/3000V
- TJ -40+150C
- TJM +150C
- Tstg -40+150C
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
