Описание
Купить IGBT IXGN50N120C3H1 в Харькове
Транзистор IXYS IXGN50N120C3H1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXGN 50N120C3H1:
- GenX3TM 1200V IGBT w/ Diode
- VCES — 1200V
- VCGR — 1200V
- VGES — 20V
- IC25 — 95A
- IC110 — 50A
- IF110 — 58A
- ICM — 240A
- PC — 460W
- TJ -55+150C
- TJM +150C
- Tstg -55+150C
- VISO — 2500/3000V
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
