Описание
Купить IGBT IXDN55N120D1 в Харькове
Транзистор IXYS IXDN55N120D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXDN55N120D1:
- High Voltage IGBT
with optional Diode - VCES — 1200V
- VCGR — 1200V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 100A
- IC90 — 62A
- ICM — 124A
- PC — 450/220W
- VISOL — 2500V
- TJ -40+150C
- Tstg -40+150C
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
