Описание
Купить IGBT IXBN42N170A в Харькове
Транзистор IXYS IXBN42N170A широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXBN 42N170A:
- BIMOSFETTM Monolithic
- Bipolar MOS Transistor
- VCES — 1700V
- VCGR — 1700V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 42A
- IC90 — 21A
- ICM — 120A
- PC — 312W
- TJ -55+150C
- TJM +150C
- Tstg -55+150C
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
