Описание
Купить IGBT IFF750B12ME7_B11 в Харькове
EconoDUAL™ 3 module with TRENCHSTOP™ IGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC / current sense shunt
Транзистор IGBT IFF750B12ME7_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IFF750B12ME7_B11:
- VCES = 1200 V
- IC nom = 750 A / ICRM = 1500 A
- Integrated temperature sensor
- TRENCHSTOPTM IGBT7
- VCE,sat with positive temperature coefficient
- PressFIT contact technology
- Standard housing
- Isolated base plate
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
