IFF750B12ME7_B11

Описание

Купить IGBT IFF750B12ME7_B11 в Харькове

EconoDUAL™ 3 module with TRENCHSTOP™ IGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC / current sense shunt

Транзистор IGBT IFF750B12ME7_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности IFF750B12ME7_B11:

• VCES = 1200 V
• IC nom = 750 A / ICRM = 1500 A
• Integrated temperature sensor
• TRENCHSTOPTM IGBT7
• VCE,sat with positive temperature coefficient
• PressFIT contact technology
• Standard housing
• Isolated base plate

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.