HCS800FH120D4B3

Описание

Купить HCS800FH120D4B3 в Харькове

Инновационный Модуль HCS800FH120D4B3 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS800FH120D4B3:

• Быстрые зарядные устройства для транспортных средств
• Максимальная температура спая 175°C
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкоиндуктивная конструкция
• Ток модуля (А) – 800
• RDS(вкл) (мОм) – 1,7
• Термистор внутри
• Моторные приводы
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.