HCS30FF120E1A1

Описание

Купить HCS30FF120E1A1 в Харькове

Инновационный Модуль HCS30FF120E1A1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS30FF120E1A1:

• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Поставщик бесперебойного питания
• Системы хранения энергии
• Твердотельное реле
• RDS(вкл) (мОм) – 30
• Ток модуля (А) -45
• Tjмакс (℃) – 175
• Термистор внутри
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.