HCS200FH120A2C1

Описание

Купить HCS200FH120A2C1 в Харькове

Инновационный Модуль HCS200FH120A2C1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS200FH120A2C1:

• Быстрые зарядные устройства для транспортных средств
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Возобновляемая энергия
• RDS(вкл) (мОм) – 8,48
• Ток модуля (А) – 200
• Tjмакс (℃) – 175
• Моторные приводы
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.