HCS04FC120E2C3

Описание

Купить HCS04FC120E2C3 в Харькове

Инновационный Модуль HCS04FC120E2C3 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS04FC120E2C3:

• Быстрые зарядные устройства для транспортных средств
• Максимальная температура перехода: 175℃
• Блокирующее напряжение: 1200 В
• Низкие коммутационные потери
• Возобновляемая энергия
• Rds(вкл) = 3.9 мОм
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.