HCS02FT120H5B2S

Описание

Купить HCS02FT120H5B2S в Харькове

Инновационный Модуль HCS02FT120H5B2S серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS02FT120H5B2S:

• Опорная пластина с прямым охлаждением игольчатого ребра
• Блокирующее напряжение – 1400 В
• Максимальная температура спая 175°C
• RDS(on)=3.2 мОм (Tj=25°C)
• Термистор внутри
• Моторные приводы
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.