HCH900FH120D3ME7

Описание

Купить HCH900FH120D3ME7 в Харькове

Инновационный Модуль HCH900FH120D3ME7 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCH900FH120D3ME7:

• Источник бесперебойного питания (ИБП)
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкое термическое сопротивление
• Мощные коммутационные приложения
• Солнечные инверторные системы
• Низкие коммутационные потери
• Гибридный модуль SiC/Si
• Встроенный термистор
• Ток модуля (А) – 900
• Tjмакс (℃) – 175
• Моторные приводы

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.