HCH50FB120F0H1

Описание

Купить HCH50FB120F0H1 в Харькове

Инновационный Модуль HCH50FB120F0H1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCH50FB120F0H1:

• DC/DC-преобразователи на топливных элементах
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкое термическое сопротивление
• Низкоиндуктивная конструкция
• Системы накопления энергии
• Встроенный термистор
• Гибридный модуль SiC/Si
• Солнечные инверторы
• Ток модуля (А) – 50
• Tjмакс (℃) – 175

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.