HCH10FA120E2C1

Описание

Купить HCH10FA120E2C1 в Харькове

Инновационный Модуль HCH10FA120E2C1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCH10FA120E2C1:

• Rds(вкл): 9.5 мОм (VGS = 15 В) / 8.3 мОм (VGS = 18 В)
• Высокочастотные коммутационные приложения
• Максимальная температура перехода 175°C
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Солнечные инверторные системы
• Низкие коммутационные потери
• Встроенный термистор
• Ток модуля (А) – 100
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.