HCH100FT120M2H1

Описание

Купить HCH100FT120M2H1 в Харькове

Инновационный Модуль HCH100FT120M2H1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCH100FT120M2H1:

• Нулевое обратное восстановление от SiC-диодов
• Отличная устойчивость к короткому замыканию
• Меньше потерь и выше энергоэффективность
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Гибридный модуль SiC/Si
• Ток модуля (А) – 100
• Tjмакс (℃) – 175
• Сварочные аппараты
• Моторные приводы
• Инверторы

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.