HCG900FH12D3ME7

Описание

Купить IGBT HCG900FH12D3ME7 в Харькове

Транзистор IGBT HCG900FH12D3ME7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG900FH12D3ME7:

• Низкий VCE(sat) для более высокой эффективности
• Встроенный термистор для измерения температуры
• Низкие потери на переключение и проводимость
• Источник бесперебойного питания (ИБП)
• Прочная и компактная конструкция
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Постоянный ток коллектора 900 А
• Напряжение изоляции до 3.4 кВ
• Системы возобновляемой энергии
• Солнечные инверторы
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.