Описание
Купить IGBT HCG900FH120D3RC в Харькове
Транзистор IGBT HCG900FH120D3RC широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG900FH120D3RC:
- Испытательное напряжение изоляции: 3 кВ (среднеквадратичное значение)
- VCEsat с положительным температурным коэффициентом
- Подложка Al2O3 с низким термическим сопротивлением
- Максимальная температура перехода: 175°C
- 1200 В Trench Gate/Field-Stop процесс
- Низкий уровень электромагнитных помех
- Встроенный датчик температуры
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
