HCG900FH120D3RC

Описание

Купить IGBT HCG900FH120D3RC в Харькове

Транзистор IGBT HCG900FH120D3RC широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG900FH120D3RC:

• Испытательное напряжение изоляции: 3 кВ (среднеквадратичное значение)
• VCEsat с положительным температурным коэффициентом
• Подложка Al2O3 с низким термическим сопротивлением
• Максимальная температура перехода: 175°C
• 1200 В Trench Gate/Field-Stop процесс
• Низкий уровень электромагнитных помех
• Встроенный датчик температуры

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.