HCG900FH120D3ME7N

Описание

Купить IGBT HCG900FH120D3ME7N в Харькове

Транзистор IGBT HCG900FH120D3ME7N широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG900FH120D3ME7N:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
• Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
• Размер упаковки: Ш62.5*Д152*В20.5 мм
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Бесперебойный источник питания
• Инвертор для моторного привода
• Низкие коммутационные потери
• Низкоиндуктивная конструкция
• Ток модуля (А) – 900
• Tjмакс (℃)
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.