HCG50FP120M3D1

Описание

Купить IGBT HCG50FP120M3D1 в Харькове

Транзистор IGBT HCG50FP120M3D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG50FP120M3D1:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
• Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
• Более высокая эффективность системы
• Низкие коммутационные потери
• Низкоиндуктивная конструкция
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Ток модуля (А) – 50
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.