HCG500FL120E3TM

Описание

Купить IGBT HCG500FL120E3TM в Харькове

Транзистор IGBT HCG500FL120E3TM широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG500FL120E3TM:

• Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 1200 В (T1/T4), 650 В (T2/T3)
• Постоянный ток коллектора (ICDC): 324А (Т1/Т4, Т2/Т3)
• Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 1000А (Т1/Т4), 900А (Т2/Т3)
• Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 543 Вт (T1/T4), 390 Вт (T2/T3)
• Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
• Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
• Термическое сопротивление (RthJH): 0.175 К/Вт (Т1/Т4), 0.243 К/Вт (Т2/Т3)
• Напряжение изоляции (Визолированный): 3.0 кВ (среднеквадратичное значение, 50 Гц, 60 с)
• Идеально подходит для ИБП, солнечных батарей, APF/SVG и трехуровневых систем.
• Снижает электромагнитные помехи и повышает стабильность.

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.