Описание
Купить IGBT HCG500FL120E3TM в Харькове
Транзистор IGBT HCG500FL120E3TM широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG500FL120E3TM:
- Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 1200 В (T1/T4), 650 В (T2/T3)
- Постоянный ток коллектора (ICDC): 324А (Т1/Т4, Т2/Т3)
- Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 1000А (Т1/Т4), 900А (Т2/Т3)
- Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 543 Вт (T1/T4), 390 Вт (T2/T3)
- Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
- Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
- Термическое сопротивление (RthJH): 0.175 К/Вт (Т1/Т4), 0.243 К/Вт (Т2/Т3)
- Напряжение изоляции (Визолированный): 3.0 кВ (среднеквадратичное значение, 50 Гц, 60 с)
- Идеально подходит для ИБП, солнечных батарей, APF/SVG и трехуровневых систем.
- Снижает электромагнитные помехи и повышает стабильность.
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
