Описание
Купить IGBT HCG450FL065E3RE в Харькове
Транзистор IGBT HCG450FL065E3RE широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG450FL065E3RE:
- Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 650V
- Постоянный ток коллектора (ICDC): 335А (Т1/Т4), 299А (Т2/Т3)
- Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 900А (Т1/Т4), 640А (Т2/Т3)
- Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 442 Вт (T1/T4), 358 Вт (T2/T3)
- Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
- Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
- Термическое сопротивление (RthJH): 0.215 К/Вт (Т1/Т4), 0.265 К/Вт (Т2/Т3)
- Подходит для ИБП, солнечных батарей, APF/SVG и трехуровневых систем.
- Улучшает рассеивание тепла, продлевая срок службы.
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
