Описание
Купить IGBT HCG450FH170D3RE1 в Харькове
Транзистор IGBT HCG450FH170D3RE1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG450FH170D3RE1:
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
- Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
- Более высокая эффективность системы
- Снижение требований к охлаждению
- Низкие коммутационные потери
- Низкоиндуктивная конструкция
- Блокирующее напряжение (В) – 1700
- Ток модуля (А) – 450
- Tjмакс (℃)- 175
- Модуль IGBT
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
