Описание
Купить IGBT HCG450FH120D3RB в Харькове
Транзистор IGBT HCG450FH120D3RB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG450FH120D3RB:
- Технология траншейного затвора/остановки поля 1200 В
- Подложка Al2O3 с низким термическим сопротивлением
- VCEsat с положительным температурным коэффициентом
- Повторяющийся пиковый ток коллектора: 900 А
- Максимальная температура перехода: 175°C
- 1200 В Trench Gate/Field-Stop процесс
- Низкий уровень электромагнитных помех
- Встроенный датчик температуры
- Постоянный ток коллектора: 450А
- Модуль IGBT
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
