HCG450FH120D3ME7

Описание

Купить IGBT HCG450FH120D3ME7 в Харькове

Транзистор IGBT HCG450FH120D3ME7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG450FH120D3ME7:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
• Более высокая эффективность системы
• Снижение требований к охлаждению
• Низкие коммутационные потери
• Низкоиндуктивная конструкция
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Ток модуля (А) – 450
• Tjмакс (℃) – 175
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.