Описание
Купить IGBT HCG300FL120E3RA в Харькове
Транзистор IGBT HCG300FL120E3RA широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG300FL120E3RA:
- Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 1200V
- Постоянный ток коллектора (ICDC): 228A
- Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 600A
- Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 475W
- Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
- Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
- Напряжение изоляции (Визолированный): 3.0 кВ
- Подходит для PCS, UPS, солнечных систем и APF/SVG.
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
