HCG300FL120E3RA

Описание

Купить IGBT HCG300FL120E3RA в Харькове

Транзистор IGBT HCG300FL120E3RA широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG300FL120E3RA:

• Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 1200V
• Постоянный ток коллектора (ICDC): 228A
• Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 600A
• Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 475W
• Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
• Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
• Напряжение изоляции (Визолированный): 3.0 кВ
• Подходит для PCS, UPS, солнечных систем и APF/SVG.

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.