HCG200FH170A2RE1

Описание

Купить IGBT HCG200FH170A2RE1 в Харькове

Транзистор IGBT HCG200FH170A2RE1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG200FH170A2RE1:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
• Более высокая эффективность системы
• Снижение требований к охлаждению
• Низкоиндуктивная конструкция
• Низкие коммутационные потери
• Блокирующее напряжение (В) – 1700
• Ток модуля (А) – 200
• Tjмакс (℃) – 175
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.