Описание
Купить IGBT HCG150FL65E2A в Харькове
Транзистор IGBT HCG150FL65E2A широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG150FL65E2A:
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
- Низкое напряжение Vcesat с высокой температурой перехода
- Конструкция с низкой индуктивностью
- Низкие Потери при переключении
- Более Высокая Эффективность Системы
- Уменьшите требования к охлаждению
- Блокирующее напряжение (В) — 650
- Ток модуля (А) — 150
- Tjmax (℃) — 150
- Модуль IGBT
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
