HCG150FL65E2A

Описание

Купить IGBT HCG150FL65E2A в Харькове

Транзистор IGBT HCG150FL65E2A широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG150FL65E2A:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Низкое напряжение Vcesat с высокой температурой перехода
• Конструкция с низкой индуктивностью
• Низкие Потери при переключении
• Более Высокая Эффективность Системы
• Уменьшите требования к охлаждению
• Блокирующее напряжение (В) – 650
• Ток модуля (А) – 150
• Tjmax (℃) – 150
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.