Описание
Купить IGBT HCG150FL065E2RB в Харькове
Транзистор IGBT HCG150FL065E2RB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG150FL065E2RB:
- Изоляционное напряжение (Vизол): 3 кВ среднеквадратичное значение
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 650 В
- Коллекторный ток постоянного тока (ICDC): 125 А
- Повторяющийся пиковый коллекторный ток (ICRM): 300 А
- Общая рассеиваемая мощность (Ptot): 173 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В
- Рабочая температура перехода (Tj): до 175°C
- Прочный и компактный дизайн
- Универсальное применение
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
