HCG100FT120M2D

Описание

Купить IGBT HCG100FT120M2D в Харькове

Транзистор IGBT HCG100FT120M2D широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG100FT120M2D:

• Блокирующее напряжение (В) – 1200

\

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Низкое напряжение Vcesat с высокой температурой перехода
• Конструкция с низкой индуктивностью
• Более Высокая Эффективность Системы
• Уменьшите требования к охлаждению
• Низкие Потери при переключении
• Ток модуля (А) – 100
• Tjmax (℃) – 150
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.