Описание
Купить IGBT HCG100FL065E2RB в Харькове
Транзистор IGBT HCG100FL065E2RB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG100FL065E2RB:
- Положительный температурный коэффициент VCEsat
- Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 650V
- Постоянный ток коллектора (ICN): 100A
- Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 200A
- Рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 135W
- Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
- Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
- Низкие потери переключения
- Компактный и прочный дизайн
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
