FZ1200R45HL4_S7

Описание

Купить IGBT FZ1200R45HL4_S7 в Харькове

Транзистор IGBT FZ1200R45HL4_S7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate – The best solution for your industry applications.

Технические особенности FZ1200R45HL4_S7:

• High creepage and clearance distances
• Positive temperature coefficient
• Self limiting short circuit current
• High short circuit capability
• High dynamic robustness
• High DC stability
• Low VCEsat

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.