Описание
Купить IGBT FS150R12KT4-B11 в Харькове
Транзистор IGBT FS150R12KT4-B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FS150R12KT4-B11:
- Подложка из Al2O3 с низким тепловым сопротивлением
- dCreep terminal to heatsink 10.0 mm
- dClear terminal to heatsink 7.5 mm
- Встроенный датчик температуры NTC
- Контактная технология PressFIT
- IC nom — 150 A / ICRM — 300 A
- RTI housing 140 °C
- Tvj,op = 150°C
- Trench IGBT 4
- VCES — 1200V
- Low VCE,sat
- VISOL — 2б5kV
- CTI > 200
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
