Описание
Купить IGBT FS150R06KL4_B4 в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FS150R06KL4_B4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Infineon FS150R06KL4_B4 — это высокоинтегрированный и надежный полумостовой IGBT-модуль, предназначенный для сложных задач преобразования энергии. Этот модуль в проверенном промышленном корпусе EconoPACK™ 2 сочетает в себе надежную технологию Infineon TRENCHSTOP™ IGBT4 с антипараллельным диодом, что позволяет создать сбалансированное высокопроизводительное решение для инженеров, которым важны эффективность, удельная мощность и надежность системы.
Технические особенности FS150R06KL4_B4:
- Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
- Nominal Collector Current (IC nom) — 150 A
- VCE(sat), Tj=125°C, IC=150A) — 1.75 V (Typ.)
- Total Power Dissipation (Ptot, TC=25°C) — 535 W
- 175°C (briefly), 150°C (operational)
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
