FS1150R08A8P3LBC

Описание

Купить IGBT FS1150R08A8P3LBC в Харькове

Транзистор IGBT FS1150R08A8P3LBC широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

The power module implements Infineon’s next generation chip technology EDT3 (Si IGBT) 750V, optimized for electric drive train applications, from mid- to high-range automotive power classes.

Технические особенности FS1150R08A8P3LBC:

• High creepage and clearance distances
• PCB and cooler assembly guidelines
• Direct-cooled PinFin base plate
• PressFIT contact technology
• 4.2 kV DC 1 second insulation
• ICN = 1150 A / ICRM = 2300 A
• Low inductive design
• Low switching losses
• Low Qg and Crss
• Low VCE,sat
• VCES = 750 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.