Описание
Купить IGBT FS100R12KE3G в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FS100R12KE3G широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FS100R12KE3G:
- VCES — 1200V
- IC nom — 100A
- Ic — 140A
- ICRM — 200A
- Ptot — 480W
- VGES 20V
- VCE sat — 1.70/2.15V
- VGEth — 5.0/5.8/6.5V
- QG — 0,90µC
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
