FP50R12W3T7_B11

Описание

Купить IGBT FP50R12W3T7_B11 в Харькове

Транзистор IGBT FP50R12W3T7_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

EasyPIM™ 3B 1200 V, 50 A IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, PressFIT contact technology and NTC. As a member of Easy3B package family, it enriches the product portfolio for industrial drives application.

Технические особенности FP50R12W3T7_B11:

• IGBT and diode are based on latest micro-pattern trenches technology
• Complete portfolio in 12mm height
• Low Rth and low power losses
• Enhanced controllability of dv/dt
• Optimized for drive applications
• Higher power density

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.