FP25R12N2T7

Описание

Купить IGBT FP25R12N2T7 в Харькове

Транзистор IGBT FP25R12N2T7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

EconoPIM™ 2 1200 V, 25 A three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.

Технические особенности FP25R12N2T7:

• Optimized development cycle time and cost
• Low VCEsat and Low switching losses
• Overload operation up to 175°C
• High reliability and power density
• TRENCHSTOP™ IGBT7
• 2.5 kV AC 1min insulation
• Copper base plate
• High power density

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.