Описание
Купить IGBT FF900R12ME7 Харькове
Транзистор IGBT FF900R12ME7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FF900R12ME7:
- Model ST
- Brand Infineon
- IC(Nom) / If(Nom) 900 a
- Technology IGBT7
- Configuration Dual
- Voltage 1200V
- Production Capacity 50000 PC/ Year
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
