FF450R17ME7_B11

Описание

Купить IGBT FF450R17ME7_B11 в Харькове

Транзистор IGBT FF450R17ME7_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности FF450R17ME7_B11:

• Low VCEsat with positive temperature coefficient
• Higher inverter output current for the same frame size
• Avoidance of paralleling of IGBT modules
• High power density
• Low VCEsat with positive temperature coefficient
• Tvj op = 175°C overload
• Optimized switching losses
• Enhanced controllability of dv/dt
• Improved diode softness and Erec

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.