Описание
Купить FF200R12KE3 в Харькове
Транзистор IGBT FF200R12KE3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FF200R12KE3:
- IGBT-modules
- VCES — 1200V
- IC nom — 200A
- IC — 295A
- ICRM — 400A
- Ptot — 1050W
- VGES — 20V
- Diode,Inverter
- VRRM — 1200V
- IF — 200A
- IFRM — 400A
- I²t — 7800A2s
- RthJC max — 0.20K/W
- Tvj op -40+125C
- VISOL — 2.5kV
- Вес — 340грамм
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
