FF150R12W2T7E_B11

Описание

Купить IGBT FF150R12W2T7E_B11 в Харькове

Транзистор IGBT FF150R12W2T7E_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

EasyDUAL™ 2B, 1200 V, 150 A common emitter IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT T7, EC7, Pressfit Pin, and NTC.

Технические особенности FF150R12W2T7E_B11:

• Overload capabilities up to 175°C
• Easy family with 12mm height
• Increased power density
• Very low stray inductance
• Best cost-performance
• Reduced system costs
• PressFIT pin
• Easy to design

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.