Описание
Купить IGBT DD1600S33HE4 в Харькове
Транзистор IGBT DD1600S33HE4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
IHV B 3300 V, 1600 A 130 mm diode IGBT module with EC4 – Diode. The best solution for your transportation and industry applications and predestined to be combined with IGBT4 IHV B 3300 V products.
Технические особенности DD1600S33HE4:
- DD+FZ1600 enables 1.6+ MW aircooled
- 1:1 mechanical swap to 130×140 IHV
- Best in class by +40% power output
- 2x PowerCycling vs state of the art
- Fire & smoke EN45545 R22, R23: HL3
- AlSiC base plate with AlN substrate
- 2xPC = 8K more safety buffer
- 2xPC =110% power same lifetime
- High surge current capability
- 2xPC =200% lifetime
- Package with CTI > 600
- High DC stability
- Isolated base plate
- Tvj op =150°C
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
